逆变器回收价值-逆变器-振鑫焱24小时服务

振鑫焱光伏科技有限公司常年采购：---回收硅片，电池片，初级多晶硅，银浆布，单晶硅，多晶硅，太阳能电池，光伏组件，太阳能电池板，客户撤退，降级，库存，el，---测试，二手，旧，工程，拆卸，路灯，拆解电站，拆卸，胶合板，层压板，无边界晶体硅，多晶硅，单晶硅，实验板，---偿还，返工，光伏模块回收等。

背电场：

a 级：

背电场完整，厚薄均匀，允许有缺失，缺失面积不超过背电场总面积的 5% ，变色面积不超过背电场面积的 15% 。

新的标准：背电场完整，厚薄均匀，不允许有缺失

b 级：

允许有缺失，缺失面积不超过背电场总面积的 10% ，变色面积不超过背电场面积的 30% 。

新的标准：允许有缺失，缺失面积不超过背电场总面积的 5% ，变色面积不超过背电场面积的 15% 。

c 级：

允许有缺失，缺失面积不超过背电场总面积的 10% ，变色面积不超过背电场面积的 50% 。

新的标准：缺失面积不超过背电场总面积的 5% ，变色面积不超过背电场面积的 50% 。

粗点：

a 级：

粗点宽度≤ 0.18mm ，个数小于 2 个

新的标准：不允许有粗点

b 级：

粗点宽度≤ 0.25mm ，个数小于 5 个

新的标准：允许有粗点，粗点宽度≤ 0.18mm ，个数小于 2 个

c  级：

粗点宽度≤ 0.3mm ，个数小于 8 个

新的标准：当主栅线或副栅线有明显粗细不均时，应用刻度显微镜进行查检。

振鑫焱光伏科技有限公司常年采购：---回收硅片，电池片，初级多晶硅，逆变器，银浆布，单晶硅，多晶硅，无边框逆变器回收，太阳能电池，光伏组件，太阳能电池板，el测试---逆变器回收，客户撤退，降级，库存，el，---测试，二手，旧，工程，拆卸，路灯，拆解电站，拆卸，胶合板，层压板，无边界晶体硅，多晶硅，单晶硅，实验板，---偿还，返工，光伏模块回收等。

pecvd

pe 目的

在硅片表面沉积一层氮化硅减反射膜，以增加入射在硅片上的光的透射，减少反射，氢原子搀杂在氮化硅中附加了氢的钝化作用。

其化学反应可以简单写成 ： sih 4 +nh 3 =sin:h+3h 2 。

基本 原理

pecvd 技术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电（或另加---体）使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。 pecvd 方法区别于其它 cvd 方法的特点在于等离子体中含有大量高能量的电子，它们可以提供化学气相沉积过程所需的---能。电子与气相分子的碰撞可以促进气体分子的分解、化合、激发和电离过程，生成活性---的各种化学基团，因而---降低 cvd 薄膜沉积的温度范围，使得原来需要在高温下才能进行的 cvd 过程得以在低温下实现。  

基本特征

1. 薄膜沉积工艺的低温化（ < 450 ℃ ）。

2. 节省能源，降低成本。

3. 提高产能。

4. 减少了高温导致的硅片中少子寿命衰减。

扩散方式

pe 设备有两类：平板式和管式。

按反应方式分为：直接式（岛津）和间接式（ roth ＆ rau  ）。

直接式：基片位于一个电极上，直接接触等离子体。  

间接式：基片不接触激发电极。 在微波激发等离子的设备里，等离子产生在反应腔之外，然后由石英管导入反应腔中。在这种设备里微波只激发 nh3 ，而 sih4 直接进入反应腔。间接 pecvd 的沉积速率比直接的要高很多，这对---生产尤其重要。