电池片各工艺流程危害要素及异常现象
4.naoh产生金字塔式绒面。naoh浓度值越高,金字塔式容积越小,反映前期,金字塔式成核相对密度类似没受naoh浓度值危害,碱水溶液的腐蚀随naoh浓度值转变比较---,浓度值高的naoh水溶液与硅体现的速率加速,再反映过段时间后,金字塔式容积。naoh浓度值超出必须界线时,各向---系数缩小,绒面会愈来愈差,类似打磨抛光。可控性水平:与ipa相近,线性度不高。
5.na2sio3si和naoh反映生产制造的na2sio3和添加的na2sio3能具有缓冲剂的功效,使反映不会很---,变的轻缓。na2sio3使反映拥有大量的起始点,生长发育出的金字塔式更匀称,更小一点儿na2sio3多的那时候要立即的排出去,na2sio3传热性差,会危害反映,水溶液的黏稠度也提升,非常容易产生水流、花蓝印和表层黑斑。可控性水平:没办法---。4酸洗钝化hcl除去硅片表层的金属材料残渣---具备酸和络合剂的双向功效,---盐能与多种多样金属材料正离子产生可溶解与水的络合物。6酸洗钝化hf除去硅片表层空气氧化层,sio26hf=h2[sif6]2h2o。
基准点1.减薄量界定:硅片制绒前后左右的前后左右净重差。---范畴多晶硅125,硅片薄厚在200±25μm左右,减薄量在0.5±0.2g;硅片薄厚在200±25μm左右,减薄量在0.4±0.2g。多晶硅156,首篮减薄量在0.7±0.2g;之后减薄量在0.6±0.2g。2.绒面分辨规范:成核相对密度高,尺寸适度,匀称。
---范畴:多晶硅:金字塔式规格3~10um。3.外型无豁口,黑斑,裂痕,激光切割线,刮痕,凹痕,有没有白斑病,赃污。
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晶体硅电池片检验方法:
2 ) 外观目测:
a. 与表面成 35 °角日常光照情况下观察表面颜色,目视颜色均匀 一致 ,无明显色差花斑、水痕、手印、划痕及污垢。
b. 隐裂:电池片有隐裂、 肉眼可见的裂纹, 均视为不合格
c. 背面铝背电极完整,表面平整 、 边界清晰 、 无明显凸起的“铝珠 , 脱落 3mm 2 / 个 ≤ 5mm 2 、鼓泡累计面积≤5mm
2 , 背面铝膜与基体材料的附着强度? 背膜烧结:用层压机 130 — 145 度,超过 10 分钟。冷却到室温后,用刀片隔开 1cm 的宽度,用大于 50n 的拉力,铅膜不随 eva 脱落,则认为合格。
d. 受光面栅线:主栅线均匀完整,栅线印刷清晰、对称;主栅线与细栅线处允许≤ 1mm ;细栅线允许≤ 2mm 的脱落;栅线印刷偏离,明显两次印刷的返工片视为不合格;断点的总数≤ 60mm。
e. 崩边:每一边不超过两处崩边,崩边间距*** 30mm 、---≤ 0.5 片子厚度、面积≤ mm 2
f . 电池边缘缺角面积不超过 1mm 2 ,数量不超过 2 个。缺角:一边有一处崩边,面积≤5mm 2 ,一边由两处崩边、面积≤3mm 2
g. 电池的崩边、钝形缺口等外形缺损的尺寸要求:长度不大于 1.5mm ,------电池板回收,由边缘向中心的---不大于 0.5mm ,同一片电池上正面出现此类外形缺损数量不超过两处。同时不允许电池上 v 形缺口。
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单晶硅片
当今开发设计得更快的这种太阳电池,它的组成和生产工艺流程已定形,商品已普遍用以宇宙空间和路面设备。这类太阳电池以高纯度的单晶硅棒为原材料,纯净度规定99.999%。以便降低成本成本费,如今路面运用的太阳电池等选用太阳能发电级的单晶硅棒,原材料性能参数有一定的放开。有的也可应用集成电路工艺生产加工的头尾料和废次单晶硅原材料,历经复拉做成太阳电池---型的单晶硅棒。将单晶硅棒切一片,通常片厚约0.3mm。硅片历经成型、研磨抛光、清理等工艺流程,做成待生产加工的原材料硅片。生产加工太阳电池片,先要在硅片上夹杂和外扩散,通常夹杂物为微量分析的硼、磷、锑等。外扩散是在石英管做成的高溫扩散炉中开展。那样就在硅片上产生p/ftt>;n 结。然后采用丝网印刷法,将配好的银浆印在硅片上做成栅线,经过烧结,同时制成背电极,并在有栅线的面涂覆减反射源,以防大量的光子被光滑的硅片表面反射掉,至此,单晶硅太阳电池的单体片就制成了。单体片经过抽查检验,即可按所需要的规格组装成太阳电池组件(太阳电池板),用串联和并联的方法构成一定的输出电压和电流,后用框架和封装材料进行封装。用户根据系统设计,可将太阳电池组件组成各种大小不同的太阳电池方阵,亦称太阳电池阵列。目前单晶硅太阳电池的光电转换效率为 15% 左右,实验室成果也有 20% 以上的。用于宇宙空间站的还有--- 50% 以上的太阳能电池板。
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