返修抛光片回收-菏泽抛光片-振鑫焱层压件组件回收

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    2020-11-14

孟先生
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电池片的制作工艺

振鑫焱光伏科技有限公司常年采购:---回收硅片,电池片,初级多晶硅,银浆布,单晶硅,多晶硅,太阳能电池,光伏组件,太阳能电池板,客户撤退,降级,库存,el,---测试,二手,旧,工程,拆卸,路灯,拆解电站,拆卸,胶合板,层压板,无边界晶体硅,多晶硅,单晶硅,实验板,---偿还,返工,光伏模块回收等。

影响因素

1 .频率

射频 pecvd 系统大都采用 50khz~13.56 mhz 的工业频段射频电源。较高频率( >;4mhz )沉积的氮化硅薄膜具有---的钝化效果和稳定性。

2 .射频功率

增加 rf 功率通常会--- sin 膜的。但是,功率密度不宜过大,超过 1w/cm2 时器件会造成---的射频损伤。

3 .衬底温度

pecvd 膜的沉积温度一般为 250 ~ 400 ℃ 。这样能---氮化硅薄膜在hf 中有足够低的腐蚀速率,并有较低的本征压力,从而有---的热稳定性和抗裂能力。低于 200 ℃ 下沉积的氮化硅膜,本征应力很大且为张应力,而温度高于 450 ℃ 时膜容易龟裂。

4 .气体流量

影响氮化硅膜沉积速率的主要气体是 sih4 。为了防止富硅膜,选择nh3/sih4=2~20 (体积比)。气体总流量直接影响沉积的均匀性。为了防止反应区下游反应气体因耗尽而降低沉积速率,通常采用较大的气体总流量,以---沉积的均匀性。

5 .反应气体浓度

sih4 的百分比浓度及 sih4/nh3 流量比,对沉积速率、氮化硅膜的组分及物化性质均有重大影响。

理想 si3n4 的 si/n = 0.75 ,而 pecvd 沉积的氮化硅的化学计量比会随工艺不同而变化,但多为富硅膜,可写成 sin 。因此,必须控制气体中的 sih4 浓度,不宜过高,并采用较高的 sin 比。除了 si 和 n 外, pecvd 的氮化硅一般还包含一定比例的氢原子,即 sixnyhz 或 sinx :h 。

6 .反应压力、和反应室尺寸 等都是影响氮化硅薄膜的性能工艺参数。







电池片的制作工艺

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扩散工艺

扩散目的

在来料硅片 p 型硅片的基础上扩散一层 n 型磷源,形成 pn 结。

扩散原理

pocl 3 在高温下 ( >; 600 ℃ ) 分解生成五--- ( pcl 5 ) 和五氧化二磷 ( p 2 o 5 ), 其反应式如下 :

5pocl 3=3pcl 5 +p 2 o 5

生成的 p 2 o 5 在扩散温度下与硅反应 , 生成二氧化硅 ( sio 2 ) 和磷原子 , 其反应式如下 :

2p 2 o 5+ 5si = 5sio 2  + 4ppocl 3

热分解时,菏泽抛光片,如果没有外来的氧( o 2 )参与其分解是不充分的,生成的 pcl5 是不易分解的,并且对硅有腐蚀作用,破坏硅片的表面状态。但在有外来 o2 存在的情况下, pcl 5 会进一步分解成 p2o 5 并放出---( cl 2 )其反应式如下:  

4pcl 5 +5o 2=2p 2 o 5 +10cl 2

生成的 p 2 o 5 又进一步与硅作用,生成 sio 2 和磷原子,由此可见,在磷扩散时,为了促使 pocl3 充分的分解和避免 pcl 5 对硅片表面的腐蚀作用,必须在通氮气的同时通入一定流量的氧气。就这样 pocl 3 分解产生的 p 2 o 5 淀积在硅片表面, p 2o 5 与硅反应生成 sio 2 和磷原子,并在硅片表面形成一层磷 - 硅玻璃,然后磷原子再向硅中进行扩散。





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电池片丝网印刷技术


5  设备  

对设备的要求有如下 3 点:  

( 1 )工作台的平面度。印刷时电池片被吸附于工作台表面,如表面不平,在负压下电池片易裂,以 150mm 电池片为例,工作台的平面度不大于 0.02mm ;  

( 2 )工作台重复定位精度。根据太阳能电池片的精度要求,工作台重复定位精度达到 0.01mm 即能满足工艺要求;  

( 3 )印刷时丝网与工作台的平行度决定印刷膜厚度的一致性,根据使用要求,以 150mm 电池片为例二者平行度 0.04mm 。

电池片的平面度不大于 0.02mm ,表面粗糙度低于 1.6 。  

6  结束语  

    太阳能电池印刷是电池片生产线的重要工序,回收废抛光片价格,对电池片的起着重要作用,太阳能电池印刷技术是一个有机的整体,是各种技术的组合,需要工艺---和设备---的协同工作:既要了解各个参数的特点,又要了解其相互的制约关系; 3 种印刷工序既有相同之处又有区别,需要针对不同工序的具体要求分。








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