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刻蚀工艺
刻蚀目的
将硅片边缘的带有的磷去除干净,避免 pn 结短路造成并联电阻降低。
刻蚀原理
采用干法刻蚀。采用高频辉光放电反应, 采用高频辉光放电反应,使反应气体---成活性粒子,如原子或各种游离基,这些活性粒子扩散到硅片边缘,在那里与硅进行反应,形成挥发性生成物四---硅而被去除。
化学公式: cf 4 +sio 2 =sif 4 +co 2
工艺流程
预抽,主抽,送气,辉光,抽空,清洗,预抽,主抽 ,充气。
影响因素
1. 射频功率
射频功率过高:等离子体中离子的能量较高会对硅片边缘造成较大的轰击损伤,导致边缘区域的电性能差从而使电池的性能下降。在结区(耗尽层)造成的损伤会使得结区复合增加。
射频功率太低:会使等离子体不稳定和分布不均匀,从而使某些区域刻蚀过度而某些区域刻蚀不足,导致并联电阻下降。
2. 时间
刻蚀时间过长:刻蚀时间越长对电池片的正反面造成损伤影响越大,时间长到一定程度损伤不可避免会延伸到正面结区,从而导致损伤区域高复合。
刻蚀时间过短:刻蚀不充分,没有把边缘鳞去干净, pn 结依然有可能短路造成并联电阻降低。
4. 压力
压力越大,气体含量越少,参与反应的气体也越多,破碎二手组件回收,刻蚀也越充份。
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1. 通过测试数据监控生产电池片的效率及暗电流等参数是否正常。
2. 对生产的电池片进行分档,将相同电性能的电池片分在一起以便做成组件。
标准测试条件
1. 光源辐照度: 1000w/m2 。
2. 测试温度: 25℃ 。
3.am1.5地面太阳光谱辐照度分布。
测试参数
1. 开路电压
在一定的温度和辐照度条件下,太阳电池在空载情况下的端电压,用 v oc 表示, pn 结开路,即 i=0 ,此时 pn 结两端的电压即为开路电压。将i=0 代入伏安特性方程得:
ktln(i l /i s +1)/q 。太阳电池的开路电压与电池面积大小无关。太阳电池的开路电压与入射光谱辐照度的对数成正比。
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影响因素
1. 温度
温度过高,首先就是 ipa不好控制,温度一高, ipa 的挥发很快,气泡印就会随之出现,这样就---减少了 pn 结的有效面积,反应加剧 , 还会出现片子的漂浮,造成碎片率的增加。
可控程度:调节机器的设置,可以---的调节温度。
2. 时间
金字塔随时间的变化:金字塔逐渐冒出来;表面上基本被小金字塔覆盖,少数开始成长;金字塔密布的绒面已经形成,只是大小不均匀,反射率也降到比较低的情况;金字塔向外扩张兼并,体积逐渐膨胀,尺寸趋于均等,反射率略有下降。可控程度:调节设备参数,可以调节时间。
3.ipa
1. 协助氢气的释放。 2. 减弱 naoh 溶液对硅片的腐蚀力度,调节各向因子。纯 naoh 溶液在高温下对原子排列比较稀疏的 100 晶面和比较致密的 111 晶面破坏比较大,各个晶面被腐蚀而消融, ipa 明显减弱 naoh 的腐蚀强度,增加了腐蚀的各向---,有利于金字塔的成形。---含量过高,碱溶液对硅溶液腐蚀能力变得很弱,各向---因子又趋于 1 。
可控程度:根据配液的含量,及每次大约消耗的量,来补充一定量的液体,控制精度不高。
4.naoh
形成金字塔绒面。 naoh浓度越高,金字塔体积越小,反应初期,金字塔成核密度近似不受 naoh 浓度影响,碱溶液的腐蚀性随 naoh 浓度变化比较---,浓度高的 naoh 溶液与硅反映的速度加快,再反应一段时间后,金字塔体积。 naoh 浓度超过一定界---,各向---因子变小,绒面会越来越差,类似于抛光。可控程度:与 ipa 类似,控制精度不高。
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