回收无边框单晶硅-振鑫焱光伏科技-克拉玛依单晶硅

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扩散工艺

扩散目的

在来料硅片 p 型硅片的基础上扩散一层 n 型磷源，形成 pn 结。

扩散原理

pocl 3 在高温下 （ >; 600 ℃ ） 分解生成五--- （ pcl 5 ） 和五氧化二磷 （ p 2 o 5 ）， 其反应式如下 ：

5pocl 3=3pcl 5 +p 2 o 5

生成的 p 2 o 5 在扩散温度下与硅反应 ， 生成二氧化硅 （ sio 2 ） 和磷原子 ， 其反应式如下 ：

2p 2 o 5+ 5si = 5sio 2  + 4ppocl 3

热分解时，如果没有外来的氧（ o 2 ）参与其分解是不充分的，生成的 pcl5 是不易分解的，并且对硅有腐蚀作用，破坏硅片的表面状态。但在有外来 o2 存在的情况下， pcl 5 会进一步分解成 p2o 5 并放出---（ cl 2 ）其反应式如下：  

4pcl 5 +5o 2=2p 2 o 5 +10cl 2

生成的 p 2 o 5 又进一步与硅作用，生成 sio 2 和磷原子，由此可见，在磷扩散时，为了促使 pocl3 充分的分解和避免 pcl 5 对硅片表面的腐蚀作用，必须在通氮气的同时通入一定流量的氧气。就这样 pocl 3 分解产生的 p 2 o 5 淀积在硅片表面， p 2o 5 与硅反应生成 sio 2 和磷原子，并在硅片表面形成一层磷 - 硅玻璃，然后磷原子再向硅中进行扩散。