单晶硅与多晶硅的区别
单晶硅和多晶硅的区别是，当熔融的单质硅凝固时，硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则形成单晶硅。如果这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则形成多晶硅。多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如在力学性质、电学性质等方面，多晶硅均不如单晶硅。多晶硅可作为拉制单晶硅的原料。单晶硅可算得上是上纯净的物质了，一般的半导体器件要求硅的纯度六个9以上。---集成电路的要求更高，硅的纯度必须达到九个9。目
前，人们已经能制造出纯度为十二个9 的单晶硅。单晶硅是电子计算机、自动控制系统等现代科学技术中不可缺少的基本材料。
电缆组件是用来连接不同的电子设备系统或者分系统之间的电气连接组件，是由各种绝缘电线、屏蔽线和电连接器组成。随着电缆组件在通讯领域的广泛应用，对电缆组件电气性能的稳定性，使用寿命及耐环境要求也越来越高。目前常用的电缆组件均为两端连接器，中间电缆，电缆和连接器通过压接，装接或焊接方式连接，外套热缩套管或注塑保护。
太阳能微型逆变器 编辑太阳能微型逆变器是设计用于单个pv模块的逆变器。微型逆变器将从每个面板输出的直流电转换成交流电。其设计允许以模块化方式并行连接多个独立的单元。
微逆变器的优势包括：单面板功率优化，每个面板的独立操作，即插即用安装，改进的安装和防火安全，系统设计成本小化和库存小化。
ic1的5脚外接电容c4(472)和6脚外接电阻r7(4k3)为脉宽调制器的定时元件，所决定的脉宽调制频率为 fosc=1.1÷ (0.0047×4.3)khz≈50khz。即电路中的三极管vt1、vt2、vt3、vt4、变压器t1的工作频率均为50khz左右，因此t1应选用高频铁氧体磁芯变压器，变压器t1的作用是将12v脉冲升压为220v的脉冲，其初级匝数为20×2，次级匝数为380。
ic2的5脚外接电容c8(104)和6脚外接电阻r14(220k)为脉宽调制器的定时元件，所决定的脉宽调制频率为 fosc=1.1÷ (c8×r14)=1.1÷(0.1×220)khz≈50hz。
r29、r30、r27、c11、vdz2组成xac插座220v输出端的过压保护电路，当输出电压过高时将导致稳压管vdz2击穿，使ic2的4脚对地电压上升，芯片ic2内的保护电路动作，切断输出。
车载逆变器电路中的mos管vt2、vt4有一定的功耗，必须加装散热片，其他器件均不需要安装散热片。当车载逆变器产品持续应用于功率较大的场合时，需在其内部加装12v小风扇以帮助散热。
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