光电转换效率
对电信领域中关键有效负荷进行保障的经验使生产商将电信零电压、零电流切换技术移植到有同等严格要求的并网逆变器应用中,而无须在设备寿命或---性方面让步。为了减小磁性器件的体积,更快速的开关mosfet器件被用于替代比较慢的igbt器件,并成为逆变器领域中的关键器件。
对于范围内的太阳能电池光伏产业,具有挑战性的降成本努力关乎到企业的生存。实际上,欧洲的研究已经开始转向无变压器拓扑中的更高开关频率,其目的是通过调整逆变器的体积和重量来减小逆变器的总体体积,进而也降低了维护成本。
然而这项研究使用了实验性质的碳化硅(silicon carbide:sic)技术器件,该器件的---性和硅mosfet器件的电流能力还没有得到证实。但是,应用于通过降低重量和实现低成本面板中的逆变器和业界降低系统成本的努力是一致的。
电容器基础知识
薄膜和铝电容器是两种在平行基板电容器基础上演变出来的电容器。图2显示了这两种电容器的基本结构,标出了主要的不同点。
在太阳能逆变器中,用做能量缓冲器的薄膜电容器由两层卷绕在一起的金属化---组成。---的厚度决定了电压等级,二手电池板回收多少钱,电压等级可以达到数千伏。---上的金属化部分通过喷洒在卷绕膜上的金属微粒实现接触。接头引线就焊在这个金属化部分上。
铝电容器由两层铝箔组成,中间夹着一层或两层纸,用导电液体即电解液填充。接头焊在每个铝层上。顶层铝有孔洞,以增加表面积,上面覆盖一个厚氧化物层。第二层铝只用来接触电解液。电压等级受氧化物层厚度和电解液成分的---,在实际应用中一般在500v左右。
太阳能发电控制逆变器设计
mcu
样机选用的c8051f330是一款完全集成的混合信号片上系统型mcu,内置高速流水线结构的cip一51内核、768字节片内ram和8kb可在系统编程的flash存储器、17个i/o端口、带模拟多路器的16通道单端或差分输人10位adc、温度传感器、---可编程的25mhz内部振荡器、4个通用的16位定时器、可编程计数器/定时器阵列(pca)及其他数字资源。因此,这款芯片可完全满足控制一逆变器的要求。
c8051f330除了具有丰富的数字资源外,还有两个非常有用的特点。一个是siliconlabs二线(c2)开发接口,它允许使用安装在应用系统上的产品mcu进行非侵入式(不占用片内资源)、全速、在系统调试。另一个是优先权交叉开关---,它按照预先设定的优先权,灵活地给片内各数字资源分配端口引脚。此外,c8051系列的芯片与8051完全兼容,因此可以很方便地进行开发和应用。
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